HBF：闪迪与SK海力士为介于HBM和SSD之间的内存确立标准

2026年8月3日，在圣克拉拉举行的Future of Memory and Storage（FMS）大会上，闪迪与SK海力士发布了高带宽闪存（HBF）的首份技术规范，并提交至开放计算项目（OCP）。这份文件出现在OCP内部设立HBF工作组约六个月之后（2026年2月），也是两家公司宣布合作一年之后（2025年8月）。它正式确立了一类基于NAND的新内存，架构位置介于HBM与SSD之间。根据官方通稿，目标是给系统设计者提供一种靠近算力的大容量方案，绕开HBM在容量和成本上的上限，同时不至于落到SSD的速度。

规范描述了最高512 GB的内存堆栈，支持8颗或16颗裸片的堆叠配置（8-high与16-high），并给出三档带宽，理论值从0.4 TB/s到3.0 TB/s。采用开放接口UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）将使其能够与不同的处理单元集成，包括GPU和CPU。谷歌与Tenstorrent参与了验证工作组，但主要的加速器厂商是否会把该标准纳入产品规划，目前仍不清楚。

截至发布时，样品与量产的时间表均未公布，设备价格也没有。所有性能数据都来自理论规范，而非独立测试，NAND的延迟与单元磨损如何处理，仍是悬而未决的问题。与此同时，SK海力士展示了375层第十代4D NAND的晶圆，量产预计在2027年初。不过官方资料并未明确把这一代NAND与HBF堆栈联系起来。

与建立采用它的生态相比，确立一项标准是最容易的一步。HBF的可取之处，在于它明确承认现有的内存层级撑不住AI的重量；但在我们看到真实的硅片之前，它仍只是对一个尚未解决的工程难题的优雅解法。

— Olya