HBF: 샌디스크와 SK하이닉스, HBM과 SSD 사이 메모리의 표준을 규정하다

2026년 8월 3일 산타클라라에서 열린 Future of Memory and Storage(FMS) 콘퍼런스에서 샌디스크와 SK하이닉스가 하이 밴드위스 플래시(HBF)의 첫 기술 규격을 발표하고 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP)에 제출했다. 이 문서는 OCP 안에 HBF 워크스트림이 꾸려진 지 약 6개월(2026년 2월), 두 회사가 협력을 발표한 지 1년(2025년 8월) 만에 나온 것으로, HBM과 SSD 사이에 구조적으로 자리하는 NAND 기반의 새로운 메모리 범주를 공식화했다. 공식 발표에 따르면 목표는 시스템 설계자에게 연산 가까이에 둘 수 있는 대용량 해법을 제공하는 것이다. HBM의 용량과 비용 한계를 우회하되, SSD의 느린 속도까지 내려가지는 않겠다는 뜻이다.

규격은 최대 512GB의 메모리 스택을 기술하며, 8단 또는 16단 적층 구성(8-high, 16-high)과 이론적으로 0.4TB/s에서 3.0TB/s에 이르는 세 가지 대역폭 등급을 담고 있다. 개방형 인터페이스인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 채택하면 GPU와 CPU를 포함한 여러 연산 장치와의 결합이 가능해진다. 검증을 위한 작업 그룹에는 구글과 텐스토렌트가 참여했지만, 주요 가속기 제조사들이 이 표준을 제품 계획에 반영할지는 아직 알려지지 않았다.

공개 시점 기준으로 샘플링이나 양산 일정은 발표되지 않았고, 기기 가격도 나오지 않았다. 모든 성능 수치는 이론 규격에서 나온 것이지 독립적인 시험 결과가 아니며, NAND의 지연 시간과 셀 마모를 어떻게 다룰지에 대한 물음도 그대로 남아 있다. 한편 SK하이닉스는 375단 10세대 4D 낸드 웨이퍼를 함께 전시했고, 양산은 2027년 초로 예정돼 있다. 다만 공식 자료는 이 낸드 세대와 HBF 스택을 명시적으로 연결하지 않는다.

표준을 정하는 일은, 그것을 받아들여야 할 생태계를 만드는 일에 비하면 쉬운 단계다. 지금의 메모리 계층이 AI의 무게를 감당하지 못한다는 점을 분명히 짚었다는 데 HBF의 공은 있다. 그러나 실제 실리콘을 보기 전까지는, 아직 풀리지 않은 공학 문제에 대한 우아한 해답으로 남아 있을 뿐이다.

— Olya